Uimhir Táirge Déantóra:
IPI26CN10N G
Product Overview
Déantóir:
Infineon Technologies
Uimhir Páirte:
IPI26CN10N G-DG
Cur síos:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Cur Síos Mionsonraithe:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Stoc:
12801346
Request Quote
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
(*) tá sé éigeantach
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
Beidhimid i dteagmháil leat laistigh de 24 uair.
SUBMIT
IPI26CN10N G Saintréithe Teicniúla
Catagóir
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Déantóir
Infineon Technologies
Pacáistiú
-
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Obsolete
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
100 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
35A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 39µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
71W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO262-3
Pacáiste / Cás
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Bunuimhir Táirge
IPI26C
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Faisnéis HTML
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
500
Ainmneacha Eile
SP000208932
SP000680726
IPI26CN10NG
IPI26CN10N G-DG
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Teastas DIGI
Related Products
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
IPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
